Galaxy S8、メモリ容量は8GB、新規格UFS 2.1対応ストレージを搭載？

Galaxy S8、メモリ容量は8GB、新規格UFS 2.1対応ストレージを搭載？

サムスンが2017年4月にニューヨークにて発表すると言われている新型スマートフォン、「Galaxy S8」について、新たな情報が出ています。

今回は、メモリとストレージについての情報です。

・メモリ容量は8GB。「10nm FinFET」プロセスで製造

・ストレージは「UFS 2.1」フラッシュストレージ規格を採用

ただ今回の情報も、例によって中国のSNS「Weibo」発のものであり、情報の信ぴょう性においては微妙なところです。

参考文献：

GSMARENA”Samsung Galaxy S8 said to come with 8GB RAM, UFS 2.1 storage tipped as well”